时间：2025/9/1 8:45:29
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IS61C64AL-10TLI是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造。这款SRAM芯片的容量为64K x 8位，采用高速CMOS技术，适用于需要快速数据访问的应用。该芯片的访问时间仅为10纳秒，因此适合用于高性能嵌入式系统和工业控制设备。
容量：64K x 8位
访问时间：10ns
电源电压：3.3V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
输入/输出电平：TTL兼容
最大工作电流：120mA
IS61C64AL-10TLI采用了高速CMOS工艺，确保了低功耗和高速操作。其10ns的访问时间使其能够满足对性能要求较高的系统需求。芯片支持异步操作，无需时钟信号，简化了设计和集成过程。此外，该器件具有宽泛的工作温度范围，适合在严苛的工业环境中运行。TTL兼容的输入输出电平使其能够与多种标准逻辑器件无缝对接。TSOP封装提供了较小的封装尺寸和良好的散热性能，非常适合用于空间受限的设计中。
这款SRAM芯片还具备较高的可靠性和稳定性，采用了ISSI的先进制造技术，确保在长时间运行中的数据完整性。它支持低待机电流模式，进一步降低了功耗，在系统不需要频繁访问存储器时有助于节能。这些特性使IS61C64AL-10TLI成为网络设备、工业自动化控制器、通信模块以及嵌入式系统的理想选择。
IS61C64AL-10TLI广泛应用于需要快速数据访问的工业和通信领域。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、网络交换机和路由器的数据缓冲、工业控制设备的数据存储、医疗仪器的临时存储，以及需要高稳定性和宽温度范围的汽车电子系统。此外，该芯片也适用于测试设备、视频处理模块和高可靠性军事通信设备。
CY62148EDE-45ZS, IDT71V016SA-10P, IS62C256AL-10TLI
