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IS46R16160F-6BLA1-TR 发布时间 时间:2025/8/1 23:36:00 查看 阅读:13

IS46R16160F-6BLA1-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有16位输入/输出宽度,容量为256K x16,总容量为4MB。这款SRAM芯片广泛用于需要高性能和可靠性的嵌入式系统、网络设备、工业控制设备和通信设备中。

参数

类型:SRAM
  容量:256K x16(4MB)
  组织方式:x16
  电源电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装类型:165-TSOP
  引脚数:165
  数据宽度:16位
  时钟频率:最大可达166MHz
  封装尺寸:标准TSOP
  功耗:典型工作电流为150mA

特性

IS46R16160F-6BLA1-TR采用了高性能的CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问能力。其5.4ns的访问时间使其适用于对时序要求严格的高速系统。该芯片的工作电压为3.3V,确保了与大多数现代微控制器和FPGA的兼容性。其封装为165-TSOP,适用于表面贴装工艺,便于在高密度PCB设计中使用。
  此外,该SRAM芯片支持异步操作,无需外部时钟控制,简化了系统设计。它还具备数据保持功能,在低功耗模式下可保持数据不丢失,适用于需要节能的应用场景。芯片内置的地址和数据缓冲器提高了数据传输的稳定性,并降低了外部干扰的影响。
  IS46R16160F-6BLA1-TR的工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子和通信基础设施等应用。

应用

IS46R16160F-6BLA1-TR SRAM芯片适用于多种高性能嵌入式系统,包括工业控制系统、通信设备(如路由器和交换机)、网络设备、测试和测量仪器、汽车电子系统以及医疗设备。由于其高速访问时间和低功耗特性,它特别适合用于需要快速数据处理和缓存存储的应用场景,如数据缓冲、图像处理、实时控制和高速缓存等。
  此外,该芯片也可用于需要大容量高速存储的FPGA和微处理器系统中,作为临时数据存储或程序存储器。其高可靠性和宽温度范围使其成为工业自动化和航空航天电子系统中的理想选择。

替代型号

CY7C1360B-5AAXI, IDT71V416SA166BGI, IS46R16320C-6BLA1-TR

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IS46R16160F-6BLA1-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥36.91394卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)