DMP2065U是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用超小型DFN3020-8封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适合用于空间受限的应用场合,例如便携式电子设备、电源管理模块以及负载开关等。DMP2065U的工作电压范围为0V至20V,并且具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压(Vds):20V
最大栅源电压(Vgs):±8V
连续漏极电流(Id):1.9A
导通电阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
栅极电荷(Qg):3.5nC(典型值)
总功耗(Ptot):400mW
工作温度范围(Tj):-55℃至+150℃
DMP2065U采用了先进的制程技术,具备以下特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 超小型DFN3020-8封装,节省PCB板空间。
3. 快速开关能力,适用于高频应用。
4. 高度可靠的电气和热性能,能够适应严苛的工作环境。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 提供了卓越的静电放电(ESD)保护性能。
DMP2065U广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. USB端口保护和电池充电控制。
3. 消费类电子产品中的信号切换。
4. 工业自动化设备中的小型化电路设计。
5. 各种低功率系统中的同步整流和DC-DC转换器。
6. LED驱动电路以及其他需要高效开关的场景。
DMP2077U, DMN2005UFH, BSS138