时间：2025/7/8 17:35:07
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5AGXBA3D4F27C5N是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
其封装形式通常为TO-220或DPAK，具体取决于制造商的设计规范。通过优化的栅极电荷设计，5AGXBA3D4F27C5N能够在高频应用中保持较低的损耗，同时支持大电流输出。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：30A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：45nC
最大功耗：180W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
该芯片具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有效减少传导损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用场景。
3. 高效热管理设计，确保在高负载条件下的稳定性。
4. 内置过流保护和过温保护功能，提升系统安全性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
6. 支持表面贴装和通孔安装两种方式，适应不同PCB设计需求。
5AGXBA3D4F27C5N广泛应用于各类电力电子设备中，典型应用包括：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制器
4. 工业自动化设备
5. 新能源汽车中的逆变器模块
6. 充电器及适配器解决方案
其卓越的性能使其成为需要高效能、低损耗解决方案的理想选择。
IRFZ44N, FDP5500, STP30NF06L
