时间：2025/8/9 14:20:41
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2SK3883-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET，适用于高频和低导通损耗应用。该器件具有优良的开关性能，广泛用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和开关电源等领域。2SK3883-01 采用了先进的沟槽式技术，使其在低电压应用中具有出色的性能。
类型: N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds): 30V
栅源电压(Vgs): ±20V
连续漏极电流(Id): 100A
功耗(Pd): 100W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: TO-220AB
2SK3883-01 MOSFET具有多项显著特性，使其在多种应用中表现出色。首先，它的漏源电压为30V，栅源电压为±20V，这使得它能够在相对较高的电压下工作，同时保持良好的稳定性。其次，该器件的连续漏极电流为100A，这意味着它可以处理较大的电流负载，适用于高功率应用。此外，2SK3883-01的功耗为100W，确保了在高功率密度设计中的可靠性。
这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还确保了机械稳定性和易于安装。此外，2SK3883-01具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统的效率。
2SK3883-01 MOSFET的应用范围非常广泛。首先，在开关电源（SMPS）中，该器件用于高频开关操作，显著提高了电源转换效率。其低导通电阻和快速开关特性使其成为DC-DC转换器中的理想选择，广泛应用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源管理系统中。
SiHH100N30EF, FDP100N30F
