NDB710AE 时间：2025/8/25 4:51:02 阅读：4

NDB710AE 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等领域。NDB710AE 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，使其在高电流应用中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大6.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

NDB710AE 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供更高的电流承载能力和更好的热性能。
　　其最大漏源电压为 30V，适用于多种中低压功率转换应用。在 VGS=10V 时，可提供高达 100A 的连续漏极电流，适合高电流负载的开关控制。
　　NDB710AE 还具有良好的热稳定性和高温工作能力，能够在恶劣环境下稳定运行。其 TO-252（DPAK）封装形式不仅便于散热，还适合表面贴装工艺，提高生产效率。
　　此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高系统功率密度。

应用

NDB710AE 主要应用于以下领域：电源管理系统、DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池供电设备、服务器电源、工业自动化设备、功率放大器以及各类高电流开关电路。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效能和高可靠性的电源设计。例如，在服务器电源或高性能计算设备中，NDB710AE 可用于主功率转换电路中的同步整流部分，以提高整体效率。
　　在电池管理系统中，它可以作为负载开关或保护开关使用，实现对电池充放电路径的高效控制。
　　此外，该器件也常用于工业控制系统的马达驱动电路中，作为功率开关元件，实现精确的速度和扭矩控制。