您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0805H682KXBBP31G

GA0805H682KXBBP31G 发布时间 时间:2025/7/12 4:48:20 查看 阅读:7

GA0805H682KXBBP31G是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高频率功率放大器芯片,主要应用于无线通信系统中的射频信号放大。该芯片具有高增益、低噪声和宽频带的特点,适合于需要高性能射频放大的场合。其设计结构紧凑,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。

参数

型号:GA0805H682KXBBP31G
  工艺:GaAs
  工作频率范围:5GHz 至 8GHz
  增益:20dB
  输出功率(1dB压缩点):28dBm
  饱和输出功率:32dBm
  效率:40%
  噪声系数:4dB
  供电电压:5V
  静态电流:300mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA0805H682KXBBP31G采用先进的GaAs HBT工艺制造,具有较高的线性度和稳定性。该芯片集成了输入输出匹配网络,从而简化了外部电路的设计并降低了整体复杂性。
  在高频应用中,此芯片表现出优异的功率附加效率(PAE),可有效减少功耗并提升系统的整体效能。
  此外,该器件具备内置保护功能,包括防反接保护和过热关断功能,进一步提升了可靠性。由于其紧凑的尺寸和高效能表现,它非常适合用于基站设备、卫星通信以及点对点微波链路等场景。

应用

GA0805H682KXBBP31G广泛应用于多种射频领域:
  - 无线通信基础设施,例如蜂窝基站和中继站。
  - 点对点微波传输系统,用于数据链路连接。
  - 卫星通信终端,支持上行和下行信号处理。
  - 军用雷达系统及电子对抗设备。
  - 工业科学医疗(ISM)频段相关产品,如测试仪器和专用无线模块。

替代型号

GA0805H682KXBBP32G
  GA0805H682KXBBP33G
  GA0805H682KXBBP34G

GA0805H682KXBBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-