GA0805H682KXBBP31G是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高频率功率放大器芯片,主要应用于无线通信系统中的射频信号放大。该芯片具有高增益、低噪声和宽频带的特点,适合于需要高性能射频放大的场合。其设计结构紧凑,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
型号:GA0805H682KXBBP31G
工艺:GaAs
工作频率范围:5GHz 至 8GHz
增益:20dB
输出功率(1dB压缩点):28dBm
饱和输出功率:32dBm
效率:40%
噪声系数:4dB
供电电压:5V
静态电流:300mA
封装形式:QFN-16
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
GA0805H682KXBBP31G采用先进的GaAs HBT工艺制造,具有较高的线性度和稳定性。该芯片集成了输入输出匹配网络,从而简化了外部电路的设计并降低了整体复杂性。
在高频应用中,此芯片表现出优异的功率附加效率(PAE),可有效减少功耗并提升系统的整体效能。
此外,该器件具备内置保护功能,包括防反接保护和过热关断功能,进一步提升了可靠性。由于其紧凑的尺寸和高效能表现,它非常适合用于基站设备、卫星通信以及点对点微波链路等场景。
GA0805H682KXBBP31G广泛应用于多种射频领域:
- 无线通信基础设施,例如蜂窝基站和中继站。
- 点对点微波传输系统,用于数据链路连接。
- 卫星通信终端,支持上行和下行信号处理。
- 军用雷达系统及电子对抗设备。
- 工业科学医疗(ISM)频段相关产品,如测试仪器和专用无线模块。
GA0805H682KXBBP32G
GA0805H682KXBBP33G
GA0805H682KXBBP34G