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IS43TR82560BL-125KBL 发布时间 时间:2025/12/28 18:16:35 查看 阅读:29

IS43TR82560BL-125KBL 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K x 8位,适用于需要高性能和低功耗的系统设计。该芯片采用CMOS技术制造,具有较高的可靠性和稳定性,广泛用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等领域。

参数

容量:256K x 8位
  电源电压:3.3V
  访问时间:125ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据输入/输出方式:异步
  控制信号:CE(芯片使能)、OE(输出使能)、WE(写使能)
  封装引脚数:54
  封装尺寸:根据具体封装类型有所不同
  最大工作频率:约8MHz

特性

IS43TR82560BL-125KBL 是一款高性能异步SRAM芯片,具备低功耗和高速访问的特性。其125ns的访问时间适用于中高速数据缓存和临时存储场景。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的待机电流,有助于在低功耗设计中延长系统运行时间。此外,它具备标准的异步控制信号(CE、OE、WE),便于与各种主控设备连接,例如微控制器、DSP和FPGA等。
  这款SRAM芯片的TSOP封装形式使其适用于空间受限的应用场合,同时提供了良好的散热性能和机械稳定性。其工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在各种恶劣环境下稳定运行,适用于工业自动化、车载系统和通信基础设施等应用场景。
  在设计上,IS43TR82560BL-125KBL 支持异步读写操作,用户可以通过控制信号灵活配置读写模式。该芯片还具备高抗干扰能力和稳定性,能够在复杂的电磁环境中保持数据完整性。

应用

IS43TR82560BL-125KBL 被广泛应用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统和工业设备中。典型的应用包括工业控制器、网络交换设备、通信模块、视频采集系统、医疗设备以及测试测量仪器。其异步接口设计使其非常适合与微控制器、现场可编程门阵列(FPGA)和数字信号处理器(DSP)配合使用,提供快速的数据缓存和临时存储功能。

替代型号

IS43TR82560BL-125KBL的替代型号包括ISSI的IS43TR82560BQ-125KBF和IS43TR82560BQ-125KBQ,以及其他厂商的兼容型号如Cypress的CY62148BLL和Renesas的IDT71V416S。

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IS43TR82560BL-125KBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(8x10.5)