时间：2025/11/12 17:16:27
阅读：15
K4J10324KG-HC1A 是由三星（Samsung）生产的一款DDR2 SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片。该器件属于高密度、高性能的内存颗粒，广泛应用于需要中等至高带宽内存支持的嵌入式系统和消费类电子产品中。该型号采用FBGA封装，具有较小的物理尺寸和较低的功耗特性，适用于对空间和能效有较高要求的应用场景。K4J10324KG-HC1A 的存储容量为1Gbit（即128MB），组织结构为64M x 16位，工作电压为1.8V ±0.1V，符合JEDEC标准的DDR2接口规范。该芯片支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）以及部分阵列自刷新等节能功能，能够在不同环境条件下维持数据完整性并降低功耗。其高速数据传输能力基于源同步接口设计，可在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现双倍数据速率传输。这款芯片常用于网络设备、工业控制模块、数字电视、机顶盒以及其他需要可靠、稳定内存性能的平台。由于其成熟的工艺制程和良好的兼容性，K4J10324KG-HC1A 在多个行业中得到了长期应用，并在停产前被广泛采购和使用于批量生产的电子设备中。
型号：K4J10324KG-HC1A
制造商：Samsung
类型：DDR2 SDRAM
容量：1Gbit (64M x 16)
电压：1.8V ±0.1V
封装：60-ball FBGA (8mm x 13mm)
工作温度：0°C 至 +95°C (结温)
最大频率：533MHz (DDR2-533)
数据速率：533 Mbps/pin
刷新模式：自动刷新，自刷新，温度补偿自刷新(TCSR)
时序参数：CL=4, AL=4, tRCD=4, tRP=4 (以时钟周期计)
接口类型：SSTL_18 Class I
引脚数量：60
安装方式：表面贴装(SMD)
