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IXFK170N20P 发布时间 时间:2023/3/6 15:15:34 查看 阅读:665

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:Polar?

 

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:Polar?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:14 毫欧 @ 500mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):200V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:170A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 1mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:185nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :11400pF @ 25V

    功率 - 最大:1250W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-264

    包装:管件

    供应商设备封装:*



资料

厂商
IXYS

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IXFK170N20P参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C170A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs185nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds11400pF @ 25V
  • 功率 - 最大1250W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264
  • 包装管件