时间：2025/9/26 11:20:12
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RP109N191B-TR-FE是一款由RICOH（理光）公司生产的高精度、低功耗、低压差线性稳压器（LDO），广泛应用于需要稳定电源供应的便携式电子设备和嵌入式系统中。该器件属于RP109系列，采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的热稳定性与负载调整能力，能够在宽输入电压范围内提供稳定的1.9V固定输出电压，最大输出电流可达300mA。该LDO具有极低的静态电流（典型值仅为45μA），非常适合对功耗敏感的应用场景，如电池供电设备、智能传感器、可穿戴设备以及物联网终端等。RP109N191B-TR-FE封装形式为DFN(PLP)1515-6，尺寸小巧（1.5mm x 1.5mm x 0.55mm），有助于节省PCB空间，满足现代电子产品小型化的设计需求。此外，该芯片内置过热保护和过流保护功能，提升了系统的安全性和可靠性。其启用控制端（CE引脚）允许用户通过逻辑信号开启或关闭输出，进一步优化系统能耗管理。由于其出色的噪声抑制性能和快速瞬态响应特性，RP109N191B-TR-FE在为微处理器、FPGA、ASIC和其他精密模拟电路供电时表现出色。
型号：RP109N191B-TR-FE
制造商：RICOH（理光）
产品系列：RP109
器件类型：低压差线性稳压器（LDO）
输出电压：1.9V（固定）
输出电压精度：±2%
最大输出电流：300mA
输入电压范围：2.0V ~ 6.0V
压差电压（典型值）：200mV @ 300mA
静态电流（IQ）：典型值45μA，最大值70μA
关断电流：≤0.1μA
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
存储温度范围：-55°C ~ +125°C
封装类型：DFN(PLP)1515-6
引脚数：6
安装方式：表面贴装（SMD）
是否环保：符合RoHS指令，不含铅（Pb）和卤素
RP109N191B-TR-FE具备多项先进特性，使其在同类LDO产品中脱颖而出。首先，其采用CMOS工艺制造，显著降低了静态功耗，在轻载或待机状态下仍能保持高效率，这对延长电池寿命至关重要。其次，该LDO具有非常低的接地电流（GND current），即使在满载条件下也能维持较高的转换效率。其内部集成了软启动电路，有效防止上电过程中因浪涌电流引起的电压波动，确保系统平稳启动。另一个关键特性是高电源抑制比（PSRR），在低频段可达70dB以上，能够有效滤除来自前级电源的纹波和噪声，为后级敏感电路提供干净的电源轨。此外，芯片内置了多重保护机制，包括过热关断保护（Thermal Shutdown）和短路电流限制保护（Current Limit Protection），当芯片温度超过安全阈值或发生输出短路时，会自动切断输出以防止损坏。其使能端（CE）支持TTL/CMOS电平兼容，便于与数字控制器（如MCU）接口，实现电源的按需启停控制。值得一提的是，该器件无需外接补偿电容即可稳定工作，仅需一个小型陶瓷电容（通常1μF）作为输出电容，简化了外围电路设计并减少了整体BOM成本。其DFN小型封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合高密度布局的便携式设备。最后，该LDO在负载瞬变响应方面表现优异，能够在负载电流快速变化时迅速调整输出电压，维持系统电压稳定，避免因电压跌落导致系统复位或误操作。
RP109N191B-TR-FE适用于多种对电源稳定性与功耗有严格要求的应用场景。常见应用包括智能手机、平板电脑、智能手表及其他可穿戴设备中的子系统供电；在物联网节点、无线传感器网络中为射频模块（如Wi-Fi、Bluetooth LE、ZigBee）和低功耗MCU提供稳定电压；也可用于工业自动化中的小型传感器信号调理电路、便携式医疗设备（如血糖仪、心率监测器）以及消费类电子产品中的音频编解码器、摄像头模组等需要低噪声电源的模块。由于其1.9V的固定输出电压恰好匹配某些低电压逻辑电路和内存（如LPDDR）的工作需求，因此也常用于为FPGA I/O、ASIC核心或嵌入式处理器的辅助电源轨供电。此外，在汽车电子中的非动力域（如信息娱乐系统、车载传感器）中也有潜在应用价值，尤其是在追求小型化和低静态功耗的设计中。得益于其高可靠性和紧凑封装，该器件同样适用于空间受限的模块化设计，如M.2或mini PCIe扩展卡等。
XC6206P19MR-G
XC6502PB19MR-G
TPS7A05190DCKR
MIC5205-1.9YM5-TR
