时间：2025/7/10 1:43:20
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GRT1555C1H160FA02D 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的沟槽式结构设计。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于各种高效能转换应用，如 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动等场景。
此芯片优化了热性能和电气性能，在高频条件下表现出优异的能量转换效率，并且具备较强的耐用性和可靠性。
型号：GRT1555C1H160FA02D
类型：N-Channel Power MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：0.05Ω（典型值，Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
结温(Tj)：最高175°C
GRT1555C1H160FA02D 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提升整体系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于对动态响应要求较高的应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 内置反向恢复二极管，简化了电路设计并提高了性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 提供卓越的热稳定性和电气稳定性，确保长期可靠的运行。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的功率调节模块。
4. 新能源汽车电子系统的逆变器和充电器。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各种 DC-DC 转换器以及电池管理系统(BMS)中的功率管理部分。
GRT1555C1H150FA02D, IRF840A, STP30NF65
