IS43TR16128B-125KBL-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)芯片。该器件具有16位数据总线宽度,并支持异步操作,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制应用。该型号属于ISSI的高性能SRAM产品线,封装形式为TSOP,适合批量采购和贴片生产。
类型:SRAM
容量:2Mbit(128K x 16)
电压:3.3V
访问时间:12ns(最大)
封装:TSOP
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装引脚数:54
数据总线宽度:16位
工作模式:异步
封装尺寸:标准TSOP
最大工作频率:约83MHz(根据访问时间计算)
IS43TR16128B-125KBL-TR 采用了ISSI先进的CMOS制造工艺,具备高速和低功耗的特性。其异步控制信号设计使其易于集成到各种微处理器和控制器系统中。该SRAM芯片支持全地址解码,确保了地址空间的完整性和稳定性。其12ns的访问时间满足大多数高速缓存和实时数据存储需求,适用于网络设备、工业控制系统、通信模块以及嵌入式系统中的临时数据存储。
此外,该芯片具备高可靠性,适用于恶劣工业环境。TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并提升生产效率,适合表面贴装技术(SMT)生产线使用。芯片的输入/输出接口兼容标准TTL和CMOS电平,简化了与其他逻辑电路的连接。其控制信号包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),支持多种读写操作模式,增强了设计的灵活性。
IS43TR16128B-125KBL-TR 还具备自动掉电功能,在未被访问时可降低功耗,延长设备使用寿命。这种特性在便携式设备和需要节能设计的系统中尤为重要。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业计算机、通信设备、网络路由器、测试测量仪器、智能电表、自动化控制系统以及需要高速缓存和快速数据存取的场景。其工业级温度范围使其适用于户外和工业环境中的电子设备。此外,该SRAM也可用于FPGA或微控制器系统的外部存储扩展,提供快速稳定的数据访问能力。
CY62167EVB12-55BZS, IDT71V128SA12PIPF, IS61WV12816BLL-12B4I