时间：2025/5/7 14:23:05
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IPD029N04NF2S 是一款 N 沟道逻辑增强型功率 MOSFET，采用小型化的 SOT23-3 封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合在空间受限的应用中使用。它广泛应用于负载开关、电源管理、便携式设备的电池保护等场景。
该芯片设计旨在提供高效的功率转换和低损耗表现，同时保持较小的外形尺寸，以适应现代电子设备对紧凑设计的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极阈值电压：1.8V~3.0V
功耗：0.6W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT23-3
1. 极低的导通电阻确保高效功率传输并减少发热。
2. 高速开关能力使其适用于高频开关应用。
3. 小型化封装设计节省了电路板空间。
4. 提供优异的热稳定性和可靠性，在极端温度下也能正常运行。
5. 具有反向恢复电荷小的特点，进一步提升了效率。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化电子产品中。
1. 负载开关控制
2. 电池供电设备中的电池保护
3. DC/DC 转换器中的同步整流
4. 便携式设备的电源管理
5. 信号切换和功率级驱动
6. LED 驱动及一般用途的功率管理
IPB029N04NFP2S, IPP029N04NFDS2
