时间：2025/9/1 18:58:57
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H9HCNNNBPUMLHR-NLN是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于需要高性能内存解决方案的电子设备中。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，具有较高的集成度和稳定性。
容量：2GB
类型：DRAM
封装类型：BGA
工作电压：1.35V
数据速率：1600Mbps
接口类型：LPDDR3
工作温度范围：-40°C至85°C
H9HCNNNBPUMLHR-NLN是一款低功耗DDR3（LPDDR3）内存芯片，适用于移动设备和高性能计算系统。其主要特性包括低电压操作（1.35V），从而降低功耗并延长电池寿命；高数据传输速率（1600Mbps），确保快速数据处理；以及采用先进的BGA封装技术，提供良好的散热性能和空间利用率。
该芯片支持多种操作模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，进一步优化功耗管理。此外，其紧凑的封装设计使其非常适合用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对空间和功耗敏感的应用场景。
该器件符合RoHS标准，支持绿色环保设计，适用于工业级和消费级电子产品。
H9HCNNNBPUMLHR-NLN主要用于需要高性能内存的移动设备，如智能手机和平板电脑。此外，它也适用于嵌入式系统、工业控制设备、汽车电子系统以及便携式计算设备。由于其低功耗和高稳定性，该芯片也常用于需要长时间运行且对能效有较高要求的应用场景。
H9HCNNN8BDCLR-NLH
H9HCNNN8BDCLR-NLA
EL9516EAA
