时间：2025/6/5 20:56:25
阅读：8
ZXMN3F31DN8TC 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沱道场效应晶体管（N-Channel MOSFET）。该器件采用 PDFN8*8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率转换和负载开关应用。其设计目的是为了在紧凑的空间内提供高效的性能表现。
该 MOSFET 通常用于需要高效率、小体积和低功耗的场景中，例如笔记本电脑适配器、充电器、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：46nC
开关频率：高达 1MHz
封装类型：PDFN8*8
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ZXMN3F31DN8TC 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，可支持高达 24A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关特性，栅极电荷较小，使得开关损耗得以减少，适合高频操作。
4. 紧凑型 PDFN8*8 封装，有助于减小整体解决方案的尺寸。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
ZXMN3F31DN8TC 广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 笔记本电脑适配器、手机和平板电脑快速充电器。
4. 电机驱动电路中的开关元件。
5. 各种负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
ZXMN3F31HA8TC, ZXMN4F31DN8TC
