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ZXMN3F31DN8TC 发布时间 时间:2025/6/5 20:56:25 查看 阅读:8

ZXMN3F31DN8TC 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沱道场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。该器件采用 PDFN8*8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种功率转换和负载开关应用。其设计目的是为了在紧凑的空间内提供高效的性能表现。
  该 MOSFET 通常用于需要高效率、小体积和低功耗的场景中,例如笔记本电脑适配器、充电器、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:46nC
  开关频率:高达 1MHz
  封装类型:PDFN8*8
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

ZXMN3F31DN8TC 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,可支持高达 24A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  3. 快速开关特性,栅极电荷较小,使得开关损耗得以减少,适合高频操作。
  4. 紧凑型 PDFN8*8 封装,有助于减小整体解决方案的尺寸。
  5. 工作温度范围宽广,能够在极端环境条件下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

ZXMN3F31DN8TC 广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器中的主开关或同步整流元件。
  3. 笔记本电脑适配器、手机和平板电脑快速充电器。
  4. 电机驱动电路中的开关元件。
  5. 各种负载开关和保护电路。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

ZXMN3F31HA8TC, ZXMN4F31DN8TC

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