时间：2025/6/26 10:38:02
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251R14S120FV4T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等高效率要求场景。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的功率密度并降低能量损耗。
此型号为表面贴装器件（SMD），适合自动化生产流程，并且具备良好的热性能和电气性能。
型号：251R14S120FV4T
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压（Vds）：650 V
最大栅源电压（Vgs）：+6 V / -10 V
导通电阻（Rds(on)）：120 mΩ（典型值，25°C）
最大连续漏极电流（Id）：14 A
栅极电荷（Qg）：75 nC（典型值）
反向恢复电荷（Qrr）：无（由于 GaN 结构特性）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-LEADLESS（符合 RoHS 标准）
251R14S120FV4T 的核心优势在于其采用先进的氮化镓技术，使其在高频开关应用中表现出色。主要特性包括：
- 极低的导通电阻，减少导通损耗。
- 快速开关速度，有效降低开关损耗。
- 高击穿电压能力，确保在高压环境下可靠运行。
- 不含体二极管设计，避免了反向恢复损耗。
- 小型化封装，便于集成到高密度设计中。
- 热阻较低，有助于散热管理。
- 符合汽车级和工业级标准，适用于严苛环境下的应用。
该型号的电子元器件适用于多种高效率电力电子应用场景，例如：
- 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
- 电信和服务器电源模块中的功率因数校正（PFC）电路。
- 新能源汽车中的 DC-DC 转换器和车载充电器。
- 工业自动化设备中的高效电机驱动控制。
- 太阳能逆变器及其他可再生能源相关产品。
- 快速充电适配器以及其他消费类电子产品中的高效率电源解决方案。
251R14S150FV4T, 251R14S100FV4T
