类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：100A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.3mΩ（典型值，取决于Vgs）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP

2SK3556-01SJ具备多项优异特性，适用于高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著减少导通损耗，提高电源转换效率。其次，该器件支持高达100A的连续漏极电流，适合高功率密度设计。此外，SOP封装形式不仅提供了良好的热管理性能，还能节省PCB空间，适用于紧凑型电子产品。
　　在可靠性方面，2SK3556-01SJ具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具备较强的短路耐受能力。其±20V的栅源电压耐受能力也使其在不同驱动条件下具有更高的安全性，降低了因过电压导致器件损坏的风险。
　　该MOSFET的高速开关特性使其适用于高频开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制电路，有效降低开关损耗并提高整体系统效率。此外，其良好的线性工作区表现使其在同步整流和负载开关应用中表现出色。

2SK3556-01SJ广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。其典型应用场景包括高效DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路、负载开关、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于服务器电源、通信设备电源、电动车控制系统等对效率和稳定性要求较高的电子系统中。

2SK3556-01SJ的替代型号包括Si7461DP、IRF1010E、NTMFS5C428NWT和FDMS86101。这些型号在导通电阻、最大电流和封装形式等方面具有相近的性能指标，可作为替代选择。