HSPPAR003B是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能射频(RF)功率放大器模块,广泛应用于无线通信系统和射频传输设备中。该器件设计用于在高频段提供高线性度和高输出功率,适用于WiMAX、LTE、无线回传等应用。HSPPAR003B采用先进的射频放大技术,能够在宽频率范围内提供稳定的性能表现,是一款高集成度的射频功率放大器解决方案。
工作频率:2.3 GHz至2.7 GHz
输出功率:典型值为37 dBm(2 W)
增益:典型值为30 dB
供电电压:+28 V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:表面贴装(SMT)
输入/输出阻抗:50Ω
效率(PAE):典型值为35%
线性度:支持高线性度操作
支持数字预失真(DPD)优化
HSPPAR003B具备多项优异的性能特征,适用于高要求的射频功率放大应用。首先,其工作频率范围为2.3 GHz至2.7 GHz,覆盖了当前主流的无线通信频段,如LTE Band 40(2.3 GHz)、WiMAX频段(2.5 GHz)等,具有良好的通用性和兼容性。该器件的典型输出功率为2 W(37 dBm),在高线性度模式下也能保持稳定的功率输出,确保信号传输的质量。
HSPPAR003B的增益表现也非常出色,典型增益为30 dB,使得其能够在系统中实现高效的信号放大。其供电电压为+28 V,符合大多数射频功放模块的设计标准,同时具备较高的电源效率(PAE,典型值为35%),有助于降低功耗并提升系统的整体能效。
该模块采用表面贴装(SMT)封装技术,便于自动化生产和高密度布局,适用于现代通信设备的高集成度需求。其输入和输出端口均为50Ω标准阻抗,方便与射频前端电路、天线等部件进行匹配,减少信号反射和损耗。
此外,HSPPAR003B支持数字预失真(DPD)优化技术,能够有效提高系统的线性度,满足高阶调制方式(如64QAM、256QAM)对信号完整性的要求。这种特性对于无线回传、WiMAX和LTE等应用尤为重要,有助于提升系统吞吐量和信号质量。
HSPPAR003B广泛应用于多种无线通信系统中,尤其适用于需要高线性度和高输出功率的场景。其主要应用领域包括WiMAX基站、LTE远程射频单元(RRU)、无线回传系统(如微波链路)、工业无线通信设备以及测试和测量仪器。在这些应用中,HSPPAR003B能够提供稳定、高效的射频功率放大能力,确保信号传输的可靠性和质量。
HSPPAR003A, HSP7820, RFPA2843, AFT05MS004N