JAN2N1159 是一款由美国Microsemi公司(原General Semiconductor)生产的双极性结型晶体管(BJT),属于高频、高压、高功率的NPN晶体管。该器件广泛用于射频(RF)放大、电源开关、高频振荡器以及其他需要高功率和高频率性能的电路中。JAN2N1159 是军用级别的器件,符合美国军用标准(MIL-PRF-19500),具有高可靠性和稳定性,适用于严苛环境下的应用。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):80V
最大集电极电流(IC):15A
最大功耗(PD):125W
最大工作频率(fT):100MHz
封装形式:TO-3金属封装
工作温度范围:-55°C至+200°C
增益(hFE):在IC=2A时,典型值为50
最大基极电流(IB):1A
JAN2N1159 是一款专为高功率和高频应用设计的晶体管,其显著特性包括高达80V的集电极-发射极击穿电压,使其适用于中等电压级别的功率放大电路。该器件的最大集电极电流可达15A,具备较强的电流驱动能力。由于其TO-3金属封装结构,JAN2N1159 具有良好的热传导性能,便于散热,适用于高功率应用场景。
该晶体管的工作频率可达100MHz,适用于射频放大器和高频开关电路。其增益(hFE)在IC=2A时典型值为50,说明其具备良好的线性放大特性。JAN2N1159 还具有良好的温度稳定性,可在-55°C至+200°C的极端温度范围内稳定工作,非常适合航空航天、军事装备等对可靠性要求极高的场合。
此外,JAN2N1159 符合MIL-PRF-19500军用标准,经过严格测试,确保其在极端环境下的可靠性和长寿命,因此常用于雷达系统、通信设备、工业电源及测试设备中。
JAN2N1159 主要应用于需要高功率、高频率和高可靠性的电子系统中。典型应用包括射频功率放大器、高频开关电源、音频功率放大器、工业加热设备、脉冲调制器和高频振荡器等。由于其军用级别的可靠性,它也广泛用于航空航天、雷达、电子战系统、通信基站等关键任务系统中。
在射频应用中,JAN2N1159 常被用作HF(高频)和VHF(甚高频)波段的功率放大器,驱动天线或作为前级放大器。在电源系统中,它可以作为高功率开关元件,用于DC-DC转换器或UPS不间断电源系统。此外,该器件还可用于音频放大器设计,提供高保真输出,尤其适用于专业音响设备和舞台音响系统。
2N6140, MJ15003G, MJ15024G