时间：2025/9/1 12:56:02
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H5MS5122EFR-K3M 是由SK hynix生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽存储器（HBM）系列。这款存储器芯片采用先进的堆叠封装技术，提供了极高的数据带宽和紧凑的封装形式，适用于需要高性能存储解决方案的应用场景。
制造商：SK hynix
类型：DRAM
子类型：HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）
容量：8GB
数据速率：2.4Gbps
电压：1.3V
封装：3D堆叠封装
接口：宽I/O接口
工作温度范围：0°C 至 85°C
H5MS5122EFR-K3M 是一款HBM2存储器芯片，其最大的特点在于采用了3D堆叠封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠，通过TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技术实现芯片之间的高速互联。这种设计显著提高了存储密度和带宽，同时减少了功耗和占用空间。
该芯片的数据传输速率为2.4Gbps，提供高达8GB的存储容量，适用于高性能计算（HPC）、图形处理（GPU）、人工智能（AI）、深度学习加速器以及高端网络设备等需要高带宽和低延迟的应用场景。
H5MS5122EFR-K3M 的工作电压为1.3V，能够在0°C至85°C的宽温度范围内稳定运行，适用于工业级和高端消费类电子产品。其宽I/O接口设计也进一步提升了数据传输效率，减少了信号延迟和干扰。
H5MS5122EFR-K3M 主要应用于高性能计算、图形处理器（GPU）、AI加速器、FPGA、数据中心服务器、高端游戏显卡以及网络基础设施设备等需要高速数据处理和大容量内存的系统中。
H5MS5122EFR-K3C, H5MS5122EFR-K3E
