类型：单刀双掷 (SPDT) 模拟开关
　　电源电压 (V±)：±15 V 典型值，最高可达 ±22 V
　　峰值电源电压：±25 V
　　模拟信号范围：-40 V 至 +40 V
　　导通电阻 (RON)：125 Ω 典型值 (在 ±15 V 供电下)
　　导通电阻平坦度 (RFLAT)：15 Ω 典型值
　　漏电流 (IS(OFF), ID(OFF))：±1 nA 典型值 (在 ±15 V, 25°C 下)
　　开关时间 (tON, tOFF)：250 ns 典型值
　　关断时间 (tOFF) 到完全关断：< 50 ns
　　通道间串扰：-75 dB @ 1 MHz
　　关断隔离度：-90 dB @ 1 MHz
　　输入逻辑兼容性：TTL/CMOS
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：8-Lead CERDIP (Ceramic Dual In-line Package)

ADG201HSKN的核心特性源于其作为高压、高可靠性混合信号开关的设计目标。首先，其超高的电压处理能力是其最显著的特点之一。它能在高达±44V的总电源电压下工作，并能安全地切换高达±40V的模拟信号，这远超标准CMOS模拟开关的能力。这一特性使其成为多路复用器、数据采集系统和自动测试设备中处理工业级±10V或±15V信号的理想选择。其次，其采用的密封陶瓷DIP封装（HS后缀）赋予了器件无与伦比的环境耐久性。与塑料封装相比，陶瓷封装几乎不透气，能有效防止湿气和有害化学物质侵入，极大地降低了因腐蚀或离子迁移导致的早期失效风险。这使得ADG201HSKN能够在极端温度循环、高湿度、真空或存在污染物的恶劣环境中保持稳定性能，这对于航空航天电子、卫星系统和深海探测设备至关重要。
　　另一个关键特性是其优异的开关参数。尽管是高压器件，ADG201HSKN仍能提供相对较低且平坦的导通电阻（典型值125Ω），这对于保持信号幅度的线性度和精度非常重要，尤其是在精密测量应用中。低至±1nA的漏电流确保了在关断状态下通道间的高阻抗隔离，减少了信号串扰和误差。快速的开关速度（典型250ns）允许器件用于中等频率的信号切换。此外，其TTL/CMOS兼容的数字输入接口简化了与现代微控制器和逻辑电路的集成。最后，其“断裂先断”的开关逻辑是安全操作的关键，避免了在切换瞬间两个通道同时导通可能造成的电源短路或信号冲突，保护了整个系统。这些特性的结合使ADG201HSKN成为一个在性能、可靠性和安全性方面都表现卓越的解决方案。

ADG201HSKN广泛应用于对性能和可靠性有极高要求的领域。在工业自动化和过程控制中，它被用于构建高电压多路复用器，将来自不同传感器的±10V或4-20mA（经转换）信号路由到单一的ADC进行数字化。在军事和航空航天电子系统中，其高可靠性陶瓷封装和宽温域工作能力使其适用于机载计算机、雷达系统和通信设备中的信号路由与切换。在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）和高性能示波器，ADG201HSKN可用于构建可编程的前端信号调理网络，实现不同测试点的快速切换。在医疗成像设备中，例如某些类型的超声波或诊断仪器，它可用于切换高压偏置或信号路径。此外，在石油和天然气行业的测井工具中，设备需要在高温高压的井下环境中工作数小时甚至数天，ADG201HSKN的耐热性和密封性使其成为此类极端环境下信号管理的可靠组件。总之，任何需要在恶劣条件下安全、精确地切换高电压模拟信号的应用，都是ADG201HSKN的用武之地。

ADG201HSNZ