时间：2025/6/22 14:03:04
阅读：4
IRF630STRLPBF是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件由Vishay生产，采用TO-252 (DPAK)封装形式。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种功率转换应用。其主要特点包括高雪崩能力、低栅极电荷以及卓越的热性能。
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6.1A
脉冲漏极电流(Ip)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.44Ω
栅极电荷(Qg)：7nC
总电容(Ciss)：1200pF
输入电容(Ciss)：650pF
输出电容(Coss)：380pF
反向传输电容(Crss)：75pF
工作结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
IRF630STRLPBF以其高性能和可靠性著称，广泛用于电源管理领域。
1. 高雪崩击穿能量，能够承受突发的过载情况。
2. 低导通电阻确保了更低的传导损耗，从而提高了效率。
3. 快速开关速度降低了开关损耗，适合高频应用。
4. 具有出色的热稳定性和耐用性，能够在恶劣环境下长时间工作。
5. TO-252封装提供了良好的散热性能，同时易于安装和使用。
该MOSFET广泛应用于各类功率电子设备中。
1. 开关电源(SMPS)设计中的开关元件。
2. 直流-直流(DC-DC)转换器，用于汽车电子、工业控制和其他应用。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 电池充电器和逆变器等需要高效功率转换的场合。
5. 照明系统，例如LED驱动电路中的关键元件。
IRF630,
STP60NF06,
BUZ11
