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IS43DR16320C-25DBL 发布时间 时间:2025/9/1 15:09:14 查看 阅读:16

IS43DR16320C-25DBL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片采用32兆位(16M x 32)的存储结构,工作电压为3.3V,适用于需要高速存储访问的工业控制、通信设备、网络设备等应用。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)封装,适用于需要高密度存储解决方案的嵌入式系统。

参数

容量:32Mbit
  组织结构:16M x 32
  电压:3.3V
  访问时间:25ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

IS43DR16320C-25DBL 是一款高速、低功耗的DRAM芯片,具备优异的稳定性和兼容性。其25ns的访问时间使其适用于对响应速度要求较高的系统。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的待机电流,有助于降低系统整体功耗。此外,其TSOP封装形式不仅节省空间,而且有助于提高PCB布局的灵活性。该芯片支持异步操作模式,能够与多种控制器和处理器配合使用,适用于多种嵌入式系统设计。
  该芯片的16M x 32位结构意味着其具有16百万个存储单元,每个单元存储32位数据,适合需要大量临时数据存储的应用场景,如图像缓冲、网络数据包缓存等。其3.3V工作电压设计与许多现代嵌入式系统的电源管理方案兼容,无需额外的电压调节电路。此外,该芯片支持工业级工作温度范围,能够在严苛的环境条件下稳定运行,适合工业控制、通信设备等应用场景。

应用

IS43DR16320C-25DBL 主要应用于需要高速存储器访问的嵌入式系统,如工业控制设备、网络路由器、交换机、通信基站、视频采集与处理设备、医疗成像设备以及高性能工业计算机。其高速访问能力和低功耗设计也使其适用于图像处理、实时数据缓存、图形显示缓存等应用。由于其兼容性和稳定性,该芯片广泛用于对存储性能和可靠性有较高要求的工业和通信领域。

替代型号

[
   "IS43S16400A-25DBL",
   "IS48C16320A-25DBL",
   "IS43R16320B-25DBL"
  ]

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IS43DR16320C-25DBL产品

IS43DR16320C-25DBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格418 : ¥30.58488托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)