时间：2025/9/1 15:09:14
阅读：16
IS43DR16320C-25DBL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能异步动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片采用32兆位（16M x 32）的存储结构，工作电压为3.3V，适用于需要高速存储访问的工业控制、通信设备、网络设备等应用。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装，适用于需要高密度存储解决方案的嵌入式系统。
容量：32Mbit
组织结构：16M x 32
电压：3.3V
访问时间：25ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
IS43DR16320C-25DBL 是一款高速、低功耗的DRAM芯片，具备优异的稳定性和兼容性。其25ns的访问时间使其适用于对响应速度要求较高的系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的待机电流，有助于降低系统整体功耗。此外，其TSOP封装形式不仅节省空间，而且有助于提高PCB布局的灵活性。该芯片支持异步操作模式，能够与多种控制器和处理器配合使用，适用于多种嵌入式系统设计。
该芯片的16M x 32位结构意味着其具有16百万个存储单元，每个单元存储32位数据，适合需要大量临时数据存储的应用场景，如图像缓冲、网络数据包缓存等。其3.3V工作电压设计与许多现代嵌入式系统的电源管理方案兼容，无需额外的电压调节电路。此外，该芯片支持工业级工作温度范围，能够在严苛的环境条件下稳定运行，适合工业控制、通信设备等应用场景。
IS43DR16320C-25DBL 主要应用于需要高速存储器访问的嵌入式系统，如工业控制设备、网络路由器、交换机、通信基站、视频采集与处理设备、医疗成像设备以及高性能工业计算机。其高速访问能力和低功耗设计也使其适用于图像处理、实时数据缓存、图形显示缓存等应用。由于其兼容性和稳定性，该芯片广泛用于对存储性能和可靠性有较高要求的工业和通信领域。
[
"IS43S16400A-25DBL",
"IS48C16320A-25DBL",
"IS43R16320B-25DBL"
]
