MRF182 时间：2025/9/4 2:28:24 阅读：15

MRF182 是由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的一款射频（RF）功率晶体管，属于 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件专为高频、高功率应用设计，适用于广播、工业加热、射频测试设备以及医疗设备中的射频功率放大器电路。MRF182 工作频率范围宽，具有良好的热稳定性和高效率，是许多射频功率放大应用中的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：5.0A
　　最大漏-源电压：250V
　　最大栅-源电压：10V
　　最大功耗：300W
　　工作温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247
　　频率范围：DC ~ 500MHz
　　增益：20dB @ 100MHz
　　输出功率：250W @ 100MHz

特性

MRF182 MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于高功率射频应用。首先，该器件在高频范围内表现出色，支持从 DC 到 500MHz 的宽频带操作，适合多种射频放大需求。其次，MRF182 的高功率处理能力使其能够在高负载条件下稳定工作，最大漏极电流为 5A，最大功耗可达 300W。此外，该器件采用 TO-247 封装，具有良好的热传导性能，有助于在高功率运行时有效散热，提高器件的可靠性和寿命。
　　另外，MRF182 在 100MHz 下可提供高达 250W 的输出功率和 20dB 的增益，显示出优异的放大性能。其高输入阻抗和低栅极电荷特性也使得该器件在射频功率放大电路中易于驱动和匹配，从而简化了电路设计并提高了整体效率。同时，MRF182 的栅极驱动要求较低，能够兼容多种常见的射频功率驱动电路，进一步扩展了其应用范围。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在 -65°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，适应各种严苛的工作环境。因此，MRF182 被广泛用于广播发射机、射频加热系统、工业测试设备和医疗射频设备等高要求领域。

应用

MRF182 主要用于需要高功率和高频性能的射频放大器设计。其典型应用包括广播发射机的末级功率放大器、射频测试和测量设备、工业射频加热系统、医疗射频治疗设备以及各种射频能量传输系统。在广播设备中，MRF182 可用于调幅（AM）或调频（FM）发射机的射频功率放大级，提供高稳定性和高效率的输出。在射频加热应用中，它可用于驱动感应加热系统，实现高能量转换效率。此外，在科研和测试设备中，MRF182 常被用作信号放大器，以提供高功率射频信号源。