时间：2025/9/1 15:26:17
阅读：18
IS42VM16800E-75BLI-TR 是一款由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的高速、低功耗的DRAM芯片。该型号属于异步FIFO（First-In-First-Out）存储器，广泛应用于需要高速数据缓存和缓冲的系统中，如网络设备、通信设备、工业控制系统以及嵌入式系统。该器件具有独立的读写端口，允许在不干扰彼此操作的情况下进行数据的读取和写入。
类型：DRAM
容量：16M x 80位
封装类型：BGA
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：7.5ns
接口类型：异步
读写端口：独立端口
最大工作频率：133MHz
IS42VM16800E-75BLI-TR 的主要特性之一是其异步操作能力，这意味着它不需要外部时钟信号来控制读写操作，从而简化了设计并提高了系统的灵活性。其高速访问时间为7.5ns，支持高达133MHz的工作频率，适合对性能有较高要求的应用场景。该器件的工作电压范围为2.3V至3.6V，具备较宽的电源适应能力，适合多种供电环境。此外，该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，提供了良好的散热性能和较高的封装密度。该器件还支持自动电源关闭和低功耗待机模式，有助于在不使用时节省能源。
IS42VM16800E-75BLI-TR 常用于需要高速数据缓存的系统，例如网络交换设备、路由器、工业控制模块、测试设备以及嵌入式处理器系统。由于其异步接口特性，特别适用于需要在不同时钟域之间进行数据缓冲的场合。此外，该芯片也常用于图像处理、视频缓冲、高速数据采集系统等对数据吞吐率有较高要求的应用。
IS42VM16800C-75BLI-TR, CY7C1380C-133AXC, IDT72V73225L133BF
