时间：2025/9/14 11:55:02
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PSMN028-100YS,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关应用。该器件采用先进的高压工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及优异的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A（在 Tc=25℃）
导通电阻 RDS(on)：最大 2.8mΩ（在 VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO220AB
引脚数：3
阈值电压（VGS(th)）：约 2.0V ~ 4.0V
漏电流（IDSS）：最大 10μA（在 VDS=100V）
PSMN028-100YS,115 具有极低的导通电阻，能够在高电流应用中减少功率损耗并提高效率。其先进的高压工艺确保了在高电压下的稳定性和可靠性，同时具备出色的热管理能力，可在高温环境下保持良好性能。
该 MOSFET 支持快速开关操作，适用于高频电源转换器和同步整流器。其封装形式（TO220AB）便于散热，并兼容通用的安装方式，方便集成到各种电路设计中。
此外，PSMN028-100YS,115 提供了良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的鲁棒性。该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高系统效率。
其工作温度范围宽，适用于工业级和汽车级应用环境。在汽车电子、工业自动化、服务器电源、电池管理系统等领域中表现优异。
PSMN028-100YS,115 适用于多种高功率、高效率的电子系统，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、工业自动化设备、服务器电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、汽车电子系统（如车载充电器和电机控制模块）等。
其优异的导通性能和高频响应能力使其成为高频开关电源设计中的理想选择。在汽车应用中，它可用于提高能源效率和系统可靠性。在工业控制领域，该器件可广泛用于电机控制和功率调节系统，提供稳定的功率输出和出色的热管理性能。
IPB028N10N3 G, INFET; SQJQ120EP,115; BSC028N10NS5 AGMA; PSMN029-100YS,115
