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HH18N5R6B500LT 发布时间 时间:2025/7/1 22:10:39 查看 阅读:14

HH18N5R6B500LT是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电子设备。
  该型号属于高压MOSFET系列,其设计优化了在高电压环境下的表现,同时具备良好的电流承载能力。它通常被用于工业控制、消费类电子产品以及汽车电子等场景。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  漏极连续电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):0.5Ω
  总功耗(Ptot):140W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:TO-247

特性

HH18N5R6B500LT的主要特性包括:
  1. 高击穿电压,能够承受高达500V的漏源电压,适用于高压应用环境。
  2. 低导通电阻,在额定条件下仅为0.5Ω,从而降低了功率损耗,提高了系统效率。
  3. 快速开关速度,可实现高频操作,适合于开关电源和其他高频应用场景。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内保持稳定性能。
  5. 高可靠性设计,满足多种工业标准和质量要求,确保长时间运行无故障。
  6. 封装为TO-247,具有优异的散热性能和机械强度。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。
  2. 电机驱动,包括步进电机、直流无刷电机等的控制。
  3. 逆变器和变频器设计,用于太阳能发电系统或家用电器。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统,如车载充电器、LED照明驱动等。
  6. 各种保护电路,如过流保护、短路保护等。

替代型号

IRF540N, STP16NF50, FQP16N50

HH18N5R6B500LT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.09973卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5.6 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-