类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）：19A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：约28mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：约27nC
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP或DFN（具体封装型号可能有所不同）

CXP819P60R-4 功率MOSFET具有多项优异的电气和物理特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，尤其适用于高电流应用场景。其次，该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计，使其在开关过程中具备较低的开关损耗，从而减少了发热并提高了系统稳定性。
　　此外，CXP819P60R-4 具有较高的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下可靠工作，满足工业级和汽车级应用的需求。其封装设计支持表面贴装工艺，便于自动化生产和散热管理，适用于高频DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及负载开关等应用。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力和抗静电能力，增强了系统的安全性和可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，兼容多种驱动电路设计，适用于不同的控制方案。

CXP819P60R-4 主要应用于各类功率电子系统中，如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块等。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和LED照明驱动电路。
　　在工业控制领域，CXP819P60R-4 适用于伺服电机驱动器、PLC电源模块和工业自动化设备中的功率开关电路。此外，该MOSFET也广泛应用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理系统。
　　由于其高效率和紧凑封装特性，该器件也适合用于需要高效能和空间限制的应用场景，例如无人机电源系统、便携式医疗设备和储能系统的能量管理电路。

CXP819P60R-4 的替代型号包括：SiSS190N06、IRF190N6DPBF、FDMS86180、TPH1R406NL、CSD19536KTT、NTMFS4C10N、FDMS86101A、IPB019N06N G、CXP820P60R-4