RFMD2081SB是一款由Qorvo(原RF Micro Devices)制造的射频功率放大器(PA)模块,专为无线通信系统中的高功率应用而设计。该模块采用先进的GaAs HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)技术,提供高效率和优异的线性度,适用于WiMAX、无线基础设施、工业和商业通信设备等应用。RFMD2081SB在2.3 GHz至2.7 GHz频率范围内工作,支持多种无线标准,是一款高可靠性、高性能的射频放大解决方案。
工作频率:2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率:典型值为32 dBm(在1 dB压缩点)
增益:典型值为32 dB
电源电压:+5V 至 +7.5V 可调
电流消耗:典型值为650 mA(在静态工作点)
封装形式:表面贴装(SMT)
封装尺寸:5 mm x 5 mm
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RFMD2081SB具备多项先进的技术特性,使其在射频功率放大器领域表现出色。首先,其工作频率范围覆盖2.3 GHz至2.7 GHz,适用于广泛的无线通信标准,如WiMAX和LTE等。该器件采用GaAs HBT技术,确保了高线性度和高效率,这在需要高数据传输速率和低误码率的应用中至关重要。
此外,RFMD2081SB具有高输出功率(典型值32 dBm),能够在1 dB压缩点保持稳定的性能,适合需要高功率输出的应用。其增益典型值为32 dB,使得在低输入功率下也能实现高效的信号放大。该模块的电源电压范围为+5V至+7.5V,具有良好的电源适应性,同时静态电流消耗约为650 mA,保证了在不同工作条件下的稳定运行。
RFMD2081SB广泛应用于各种射频通信系统中,尤其适用于需要高功率放大和高线性度的场景。其典型应用包括WiMAX基站、无线基础设施设备、点对点微波通信、工业自动化控制系统以及商业级通信设备。由于其覆盖2.3 GHz至2.7 GHz的频率范围,它也适用于LTE和5G等新一代通信标准中的射频前端模块。
RFMD2081SB的替代型号包括RFMD2080SB、HMC414MS8E、RFPA2081SESR 和 QPF4200