时间：2025/8/9 13:29:05
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2SK3982-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器和马达控制等高效率电子系统。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：20V
最大连续漏极电流(Id)：100A
最大耗散功率(Pd)：100W
导通电阻(Rds(on))：5.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220SM(W)
2SK3982-01MR采用了东芝的U-MOS技术，提供卓越的导通和开关性能。其低导通电阻确保了在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
该MOSFET具有较高的热稳定性和耐久性，适合在高负载和高温环境下运行。此外，其快速开关能力使其适用于高频开关电路，如同步整流器、电源转换器和电池管理系统。
该器件的封装设计优化了散热性能，使得在高功率应用中仍能保持良好的热管理。同时，其标准TO-220SM(W)封装便于安装和散热片连接，适用于多种工业和消费类电子产品。
在栅极驱动方面，该MOSFET支持常见的10V驱动电压，兼容大多数PWM控制器和驱动IC，降低了系统设计的复杂度。
2SK3982-01MR广泛应用于各种电源管理领域，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。其高效的导通特性和快速的开关响应使其成为高性能电源设计的理想选择。
在消费电子领域，该器件可用于笔记本电脑、台式机电源系统以及高效能适配器中，提供稳定的电源转换和管理功能。
在工业自动化和控制系统中，2SK3982-01MR可作为高频率开关元件，用于伺服电机驱动器、PLC模块和不间断电源（UPS）等关键设备中。
此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS），满足汽车应用中对高可靠性和耐久性的要求。
Si7461DP, IRF1010E, FDS6680, AO4407A
