时间：2025/10/8 10:02:33
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SF-1206HV40M-2是一款由SIFAS（西安赛威）生产的高压、高精度、薄膜片式电阻器，属于其SF系列中的高性能产品。该电阻采用先进的薄膜沉积技术制造，封装尺寸为1206（3216公制），具有优异的长期稳定性、低温度系数和出色的耐高压能力，适用于对可靠性要求极高的精密电路设计中。SF-1206HV40M-2的最大额定电压可达400V，标称阻值为40MΩ，允许偏差为±1%或更小，适合在高压分压、漏电流检测、医疗设备电源管理、工业测量仪器以及高绝缘环境下的信号调理电路中使用。该器件具备良好的抗湿性和抗氧化性能，能够在恶劣环境下保持稳定的电气特性，同时满足RoHS和REACH环保标准，支持无铅回流焊工艺。其结构设计优化了电弧防护和表面爬电距离，提升了在高电压工作条件下的安全性和可靠性。由于其高阻值和低噪声特性，特别适用于需要微弱信号处理的应用场景。
型号：SF-1206HV40M-2
封装尺寸：1206（3.2mm x 1.6mm）
阻值：40MΩ
阻值偏差：±1%
额定功率：0.25W（降额使用）
最大过载电压：500V
额定电压：400V
温度系数（TCR）：±25ppm/℃
工作温度范围：-55℃ ~ +155℃
存储温度范围：-55℃ ~ +155℃
介质耐压：1000Vrms（1分钟）
绝缘电阻：≥100GΩ @ 500VDC
结构：薄膜陶瓷基板
端电极：Ag/Pd内电极，Sn镀层外电极
符合标准：RoHS、REACH、IEC 60115-8
SF-1206HV40M-2具备卓越的高压适应能力和长期稳定性，其核心优势在于采用高纯度陶瓷基板与精密溅射薄膜工艺相结合，实现了极低的温度系数（TCR ±25ppm/℃），确保在宽温范围内阻值变化极小，显著提升系统测量精度。该电阻器经过特殊表面处理和电极结构优化，有效延长了表面爬电路径，防止高压下发生电晕放电或表面闪络现象，从而可在高达400V的持续工作电压下稳定运行。其绝缘电阻大于100GΩ，在施加500V直流电压时表现出极低的漏电流，适用于高阻抗节点的偏置电路和微安级电流检测。
此外，该器件具有出色的耐湿性和抗氧化能力，即使在高温高湿环境（如85℃/85%RH）下长时间运行，阻值漂移仍控制在极小范围内（通常小于±0.5%）。其脉冲耐受能力强，可承受短时高压冲击而不发生性能退化，广泛用于医疗成像设备中的高压探头、X射线发生器的反馈网络、光电倍增管偏置电路等关键部位。由于其低噪声和非感性结构（寄生电感小于0.5nH），能够有效避免高频干扰，保证信号完整性。整体结构致密，机械强度高，支持自动化贴装工艺，并通过严格的AEC-Q200应力测试认证，适用于航空航天、工业控制和高端科研仪器等领域。
SF-1206HV40M-2主要用于需要高电压隔离与高阻值精度的电子系统中。典型应用场景包括高压电源的分压采样电路，例如在激光驱动器、电容充电模块和静电消除设备中作为反馈元件；在医疗设备如CT扫描仪、MRI系统和除颤器中用于监测高压母线电压，保障患者安全；在精密测试仪器如数字源表（SMU）、高阻计和漏电流分析仪中作为基准电阻参与测量桥路；还可应用于光电探测系统中的光电二极管偏置网络，提供稳定的高阻偏置以减少暗电流影响。
此外，该电阻也常用于工业自动化领域的高压传感器信号调理电路，以及新能源系统中的绝缘监测装置（IMD），用于检测直流母线对地漏电流。在航天和军工电子中，因其高可靠性和耐极端环境能力，被广泛部署于卫星电源管理系统和雷达发射模块中。其小型化封装使其能够在空间受限的设计中替代传统插件高压电阻，大幅提高PCB布局灵活性并降低系统体积。由于其优异的长期稳定性，亦可用于校准设备和计量标准器具中作为参考元件。
RMCF1206JT40M
ERJ-14NF40M
