时间：2025/9/1 14:07:35
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IS42S16160G-6BLI-TR 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于同步动态随机存取存储器（SDRAM）类别。该芯片的存储容量为256Mb（Megabits），组织形式为16M x 16，即每个地址有16位数据线。它采用同步接口设计，使得数据传输与时钟信号同步，从而提高系统性能。该器件适用于需要高速数据处理的应用，如网络设备、通信系统、工业控制设备等。IS42S16160G-6BLI-TR采用小型化的TSOP封装形式，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适合在严苛环境下使用。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16
封装类型：TSOP
工作电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：6.0ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：同步（Sync）
刷新周期：64ms
封装引脚数：54
IS42S16160G-6BLI-TR 是一款高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片，具有高速访问能力和稳定性，适用于对数据吞吐量和响应速度有较高要求的工业和通信设备。该芯片支持同步操作，即其读写操作均与系统时钟同步，从而有效提升系统整体运行效率。由于其6.0ns的最短访问时间，该芯片能够在高频工作环境下保持稳定的数据传输速率。
这款SDRAM芯片的电压范围为2.3V至3.6V，具有较宽的电源适应性，适合多种电源设计环境。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有较小的物理尺寸和良好的热性能，便于在空间受限的设计中使用。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于户外设备、工厂自动化系统等复杂环境下的稳定运行。
此外，IS42S16160G-6BLI-TR支持标准的64ms自动刷新周期，能够有效维持存储数据的完整性，避免因电容放电导致的数据丢失。这种设计简化了外部控制器的刷新管理任务，提高了系统的可靠性。该芯片还具有低功耗待机模式，有助于降低设备在非活跃状态下的能耗，适用于电池供电或低功耗要求的系统设计。
IS42S16160G-6BLI-TR 同步动态随机存取存储器广泛应用于需要中等容量高速存储的各种嵌入式系统和工业设备中。例如，该芯片可用于网络设备中的数据缓存，如路由器和交换机，以提高数据包处理的效率；在通信系统中，如基站设备和无线接入点，IS42S16160G-6BLI-TR 可作为高速数据缓冲区，以支持稳定的通信性能。
此外，该芯片适用于工业控制设备，如可编程逻辑控制器（PLC）和人机界面（HMI），以支持实时数据处理和显示。在消费类电子产品中，该芯片也可用于数字电视、机顶盒等设备，以支持视频数据的快速存取。由于其宽温特性和低功耗设计，IS42S16160G-6BLI-TR 也适合用于户外监控设备、车载电子系统等对稳定性和环境适应性有较高要求的应用场景。
IS42S16160B-6BLI-TR, IS42S16160G-6TBI-TR, CY7C1370E-6BZI, MT48LC16M2A2B4-6A
