时间：2025/9/1 12:57:48
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H9CCNNNBJTML 是由SK Hynix（海力士）生产的一款LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取内存）芯片，主要用于高性能移动设备、平板电脑、嵌入式系统和智能终端等对内存性能和功耗有较高要求的应用场景。该内存芯片采用BGA（球栅阵列封装）封装形式，具有高密度、低功耗和高速传输等优点。
内存类型：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB
电压：1.1V / 1.8V
频率：3200Mbps
数据总线宽度：16位
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H9CCNNNBJTML 具有优异的性能和低功耗特性，适合用于需要高效能内存支持的移动设备和嵌入式系统。
其支持的LPDDR4标准提供了更高的数据传输速率和更低的工作电压，从而在性能和能效之间取得了良好的平衡。
该芯片的16位数据总线宽度可以在减少封装尺寸的同时保持较高的带宽利用率，适用于空间受限的应用场景。
此外，H9CCNNNBJTML 采用BGA封装技术，具有良好的散热性能和电气性能，能够在各种复杂环境下稳定工作。
其支持的宽温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于工业级应用，如车载系统、智能监控设备等。
该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）、便携式医疗设备、物联网（IoT）设备等需要高性能、低功耗内存的场景。
H9CCNNNBJTMR、H9CCNNNCFJML、H9CCNNNBJTML-BVKE、H9CCNNNBJTML-BCBR
