时间：2025/5/13 12:35:41
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LUDZS16BT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高速 N 沣道艬管，采用 TO-263 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动和工业控制等领域。
它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，同时具备出色的热稳定性和耐用性，使其成为高性能功率应用的理想选择。
最大集电极电流：40A
最大集电极-发射极电压：600V
最大栅极-发射极电压：±20V
存储结温范围：-55℃ 至 +150℃
功耗：240W
LUDZS16BT1G 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（BVceo），可承受高达 600V 的电压，适用于高压场景。
2. 极低的饱和电压（Vce(sat)），有助于降低导通损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 内置反向二极管，能够有效抑制感性负载引起的尖峰电压。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 采用 TO-263 封装，便于安装和散热管理。
LUDZS16BT1G 可用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. 工业设备中的电机驱动和控制。
3. 家用电器的功率调节。
4. LED 照明驱动电路。
5. 各种工业自动化设备中的功率开关。
6. 不间断电源（UPS）系统中的关键组件。
LUDZS16DT1G, LUDZS16ET1G
