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IS25WP040E-JNLE-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:23:02 查看 阅读:30

IS25WP040E-JNLE-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的串行闪存存储器(Serial NOR Flash Memory)芯片,容量为4Mbit,采用SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行数据通信。该芯片适用于需要高可靠性、高性能和低功耗的嵌入式系统应用场景。

参数

容量:4Mbit (512K x 8)
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC
  接口类型:SPI(支持单线、双线和四线模式)
  最大时钟频率:104MHz
  读取模式:支持标准、双输出、四输出和QPI模式
  写保护功能:支持硬件和软件写保护
  擦除块大小:统一4KB扇区、32KB和64KB块
  编程/擦除耐久性:100,000次循环
  数据保持时间:超过20年

特性

IS25WP040E-JNLE-TR 是一款高性能、低功耗的串行NOR Flash芯片,适用于多种嵌入式系统的代码和数据存储。其主要特性包括:采用先进的CMOS技术制造,具有良好的功耗控制能力,适合电池供电设备和对功耗敏感的应用。芯片支持多种SPI操作模式,包括单线、双线、四线以及QPI模式,提供高速数据传输能力,最高时钟频率可达104MHz,从而加快程序加载和数据读写速度。
  在存储结构方面,IS25WP040E-JNLE-TR 提供了灵活的擦除和编程功能,支持4KB扇区、32KB和64KB块擦除操作,允许用户根据实际需求进行精确的数据管理,减少不必要的擦写操作,提高存储寿命。此外,芯片内部支持100,000次编程/擦除循环,数据保持时间超过20年,适用于需要长期可靠存储的应用场景。
  该芯片还具备完善的写保护机制,包括硬件写保护引脚和软件写保护功能,防止因意外操作或电源波动导致的数据损坏。此外,IS25WP040E-JNLE-TR 工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境。其8引脚SOIC封装形式便于PCB布局和焊接,适用于各种嵌入式系统设计,如物联网设备、工业控制、消费类电子产品等。

应用

IS25WP040E-JNLE-TR 广泛应用于需要中等容量、高性能和高可靠性的非易失性存储器场景。例如,嵌入式系统中的固件存储、代码启动存储器(Boot Code Storage)、数据记录设备、工业自动化控制设备、智能电表、医疗仪器、安防监控设备、网络设备以及各类物联网(IoT)终端设备等。其支持高速SPI接口和多种擦写模式的特性,使其特别适合用于需要快速启动和频繁更新数据的应用场合。

替代型号

IS25WP040J-JNLE-TR, MX25R4033FZUI-10G, W25Q40FWSSIG

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IS25WP040E-JNLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.47660卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织512K x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页40μs,1.2ms
  • 访问时间8 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP