PG12NSSMB-RTK 时间：2025/12/28 14:45:28 阅读：14

PG12NSSMB-RTK 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效能的电源管理和功率转换应用，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。PG12NSSMB-RTK 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，适用于需要高效率和高可靠性的工业级应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：120V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：12A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：0.15Ω（最大值）
　　功耗(Ptot)：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-261（SMB）

特性

PG12NSSMB-RTK 具有多个显著的技术特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这对于电源管理和DC-DC转换器等应用至关重要。
　　其次，PG12NSSMB-RTK 的最大漏源电压为120V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源转换系统。
　　此外，该MOSFET的封装形式为TO-261（SMB），具备良好的热管理性能，确保在高电流负载下依然保持稳定运行。这种封装形式也便于表面贴装工艺（SMT），提高了PCB布局的灵活性和生产效率。
　　器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，避免因瞬态电压引起的损坏。同时，其最大连续漏极电流为12A，在适当的散热条件下可满足高功率密度的设计需求。
　　最后，PG12NSSMB-RTK 具有优异的开关性能，能够实现快速的导通和关断，从而减少开关损耗。这对于高频开关电源、同步整流器和电机控制等应用尤为重要。

应用

PG12NSSMB-RTK 主要应用于需要高效能功率开关的电子系统中。常见用途包括：DC-DC转换器中的主开关或同步整流器，以提高转换效率；电源管理系统中的负载开关，实现对不同电源域的高效控制；电机驱动电路中用于控制电流流向；以及工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）等需要高可靠性和高效率的场合。该MOSFET的低导通电阻和良好的热性能使其成为高性能电源设计中的理想选择。