类型：肖特基二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流反向电压（VR）：20V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF）：450mV @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 20V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　高度：0.95mm 最大
　　引脚数：2

DR221-513AE的核心优势在于其低正向压降特性，在1A电流下仅产生约450mV的压降，显著低于传统PN结二极管（通常为700mV以上）。这种低VF表现意味着在相同工作条件下，器件自身的功耗更低（P = VF × IF），有助于减少发热并提高电源转换效率。尤其在电池供电设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，这一特性能够延长续航时间并改善热管理设计。
　　该器件采用肖特基势垒技术，利用金属-半导体接触形成整流结，而非传统的P-N结。这不仅实现了更快的开关速度（反向恢复时间极短，接近于零），还避免了少数载流子存储效应带来的延迟问题。因此，即使在高频开关应用中（例如DC-DC转换器工作频率高达数百kHz至MHz级别），DR221-513AE也能保持高效稳定运行，有效抑制开关瞬态引起的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　SOD-123FL封装是该器件的重要物理特征之一。相比标准SOD-123，SOD-123FL具有更小的外形尺寸（约2.0mm × 1.3mm × 0.95mm）和优化的引脚设计，支持更高的组装密度，非常适合用于空间受限的印刷电路板布局。同时，该封装具有良好的热传导路径，能将工作时产生的热量迅速传递至PCB焊盘，从而增强长期可靠性。结合其-55°C到+125°C的工作结温范围，DR221-513AE可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围电路及户外通信模块等应用场景。
　　从可靠性角度看，Diodes Incorporated对该型号实施严格的制造流程控制，确保批次一致性与长期供货能力。器件通过AEC-Q101应力测试认证的可能性较高（需查证具体版本），表明其具备一定的车规级潜力，可用于非关键车载系统中的电压钳位或反接保护功能。此外，其30A的峰值浪涌电流能力使其能够承受一定程度的瞬态过流冲击，如电源启动瞬间的电容充电电流，提升了系统的鲁棒性。

DR221-513AE常用于各类低电压、高效率的电源转换电路中，典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的续流二极管或箝位二极管，用于防止电感反电动势损坏主控芯片；在同步整流架构尚未普及的小功率适配器中，它可作为输出整流元件以降低损耗。
　　在DC-DC升压或降压转换器中，该二极管常被用作飞轮二极管（freewheeling diode），确保电感电流连续性，维持输出电压稳定。由于其快速响应特性，特别适合高频操作下的能量回馈路径。
　　另一个重要用途是电池极性保护，当用户误接电源极性时，该二极管处于反向截止状态，阻止电流流动，从而保护后级敏感电路。虽然理想情况下应使用专用保护IC，但在成本敏感型产品中，采用肖特基二极管是一种经济有效的解决方案。
　　此外，它也广泛应用于逆变器电路、LED驱动电源、USB充电端口的防倒灌设计、太阳能充电控制器中的阻塞二极管以及各种嵌入式系统的电源轨隔离。在便携式消费类电子产品如蓝牙耳机、智能手表、无线路由器中，DR221-513AE凭借其小型化封装和高效性能成为首选整流器件之一。