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H5007EFNLT 发布时间 时间:2025/7/22 19:33:30 查看 阅读:4

H5007EFNLT 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的高压工艺制造,具有高击穿电压、低导通电阻和高功率处理能力。该器件主要用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用,如电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。H5007EFNLT 采用紧凑的封装形式,便于在空间受限的设计中使用。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):7A @ 100°C
  导通电阻(Rds(on)):≤1.2Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220
  晶体管配置:单

特性

H5007EFNLT 的主要特性之一是其高击穿电压(500V),这使其适用于高压功率转换应用,例如离线式电源和工业电机控制。此外,该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),在 10V 栅极驱动电压下最大为 1.2Ω,从而降低了导通损耗并提高了能效。H5007EFNLT 还具备良好的热稳定性和过载能力,确保在高功率密度设计中可靠运行。其 TO-220 封装形式提供了良好的散热性能,同时支持快速安装到散热片上。
  另一个关键特性是 H5007EFNLT 的高栅极电压容限(±20V),允许使用标准的栅极驱动器进行控制,简化了电路设计。此外,该 MOSFET 具有快速开关能力,适用于高频开关应用,从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。H5007EFNLT 还具有较低的输入电容和输出电容,有助于减少开关损耗并提高系统效率。在短路和过热条件下,该器件表现出良好的耐用性,增强了整体系统的鲁棒性。

应用

H5007EFNLT 广泛应用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器、照明镇流器、工业自动化设备以及家电控制系统。在开关电源设计中,H5007EFNLT 可用于构建高效的初级侧开关,实现高功率因数校正(PFC)和低待机功耗。在电机控制应用中,该 MOSFET 可用于 H 桥结构,实现高效、可靠的直流电机驱动。此外,H5007EFNLT 还适用于需要高耐压和高电流能力的负载开关电路,如电源管理系统和智能电表。由于其优异的热性能和高可靠性,H5007EFNLT 也常用于高温环境下的工业控制系统。

替代型号

STP7NK50ZFP, IRF840, FQA7N50, FDPF50N20

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