类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A @ 100°C
　　导通电阻(Rds(on))：≤1.2Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单

H5007EFNLT 的主要特性之一是其高击穿电压（500V），这使其适用于高压功率转换应用，例如离线式电源和工业电机控制。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动电压下最大为 1.2Ω，从而降低了导通损耗并提高了能效。H5007EFNLT 还具备良好的热稳定性和过载能力，确保在高功率密度设计中可靠运行。其 TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，同时支持快速安装到散热片上。
　　另一个关键特性是 H5007EFNLT 的高栅极电压容限（±20V），允许使用标准的栅极驱动器进行控制，简化了电路设计。此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，适用于高频开关应用，从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。H5007EFNLT 还具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关损耗并提高系统效率。在短路和过热条件下，该器件表现出良好的耐用性，增强了整体系统的鲁棒性。

H5007EFNLT 广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器、照明镇流器、工业自动化设备以及家电控制系统。在开关电源设计中，H5007EFNLT 可用于构建高效的初级侧开关，实现高功率因数校正（PFC）和低待机功耗。在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构，实现高效、可靠的直流电机驱动。此外，H5007EFNLT 还适用于需要高耐压和高电流能力的负载开关电路，如电源管理系统和智能电表。由于其优异的热性能和高可靠性，H5007EFNLT 也常用于高温环境下的工业控制系统。

STP7NK50ZFP, IRF840, FQA7N50, FDPF50N20