H26M64001EMR 时间：2025/9/2 3:39:54 阅读：6

H26M64001EMR 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于早期的异步DRAM产品系列。该芯片的容量为64Mbit，通常用于需要中等容量存储的嵌入式系统或旧式电子设备中。由于其异步接口设计，它不需要与系统时钟同步工作，因此适用于一些对时序要求不严格的场景。H26M64001EMR 封装形式为TSOP（薄型小外形封装），便于在多种电路板上安装使用。

参数

容量：64Mbit
　　组织结构：x16
　　工作电压：3.3V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：异步
　　数据宽度：16位

特性

H26M64001EMR 的主要特性之一是其异步接口，这意味着它不需要与主控设备的时钟信号保持同步，从而简化了设计并降低了功耗。该芯片的工作电压为3.3V，适合现代低功耗系统的需求。其访问时间最大为5.4ns，虽然不如现代同步DRAM速度快，但在某些对性能要求不高的应用场景中仍能满足需求。此外，H26M64001EMR 采用TSOP封装，具有较好的电气性能和散热能力，适用于空间有限的电子产品设计。芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下稳定运行。H26M64001EMR 的x16数据宽度设计，使其在存储密度和访问效率之间取得了良好的平衡，适用于图像缓冲、数据缓存等多种用途。

应用

H26M64001EMR 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费电子产品以及需要中等容量DRAM的老旧计算机系统中。由于其异步接口特性，它常用于不需要高速时钟同步的系统，例如某些类型的打印机、医疗设备、测试仪器和自动化控制系统。此外，该芯片也可用于图像处理设备、视频采集卡等需要临时存储数据的应用场景。在一些特定的工业和通信设备中，H26M64001EMR 依然具有一定的使用价值。