类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：19mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP

SC824UL.TRT 具备多项出色的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下，功耗和热量产生显著降低，从而提高整体系统效率。此外，该器件的高栅极绝缘能力（±20V Vgs）提供了更好的抗干扰能力和稳定性，使其适用于复杂电磁环境中的应用。
　　这款 MOSFET 采用 TSOP（Thin Small Outline Package）封装，体积小、重量轻，适合高密度 PCB 布局。其优良的热传导性能确保即使在高负载条件下，也能维持稳定的运行状态，延长使用寿命。
　　SC824UL.TRT 的开关特性也十分优异，具备快速导通和关断能力，有助于降低开关损耗并提高响应速度。这使得它在高频功率转换器（如同步整流器、开关电源）中表现突出。此外，该器件的耐用性和可靠性符合工业级标准，能够适应各种恶劣工作环境。

SC824UL.TRT 适用于多种功率管理和开关应用。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关以及各种便携式电子产品中的电源模块。此外，它还可用于汽车电子系统（如车载充电器、LED 照明驱动器）和工业自动化设备中，以提高能效和稳定性。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，SC824UL.TRT 在需要高效能和紧凑设计的电源转换系统中尤为适用。例如，在同步降压转换器中，该器件可有效减少传导损耗，提升转换效率；在电机驱动电路中，则可实现快速响应和稳定运行，确保设备的高效操控。

Si2302DS, FDS6675, IRML2802, AO3400