类型：射频功率晶体管
　　材料：碳化硅（SiC）
　　封装类型：气密封陶瓷封装
　　最大漏极电流（ID(max)）：15 A
　　最大漏源电压（VDS(max)）：250 V
　　输出功率（RF）：典型值125 W
　　频率范围：典型用于50 MHz至1 GHz范围
　　增益：典型20 dB
　　工作温度范围：-65°C至+200°C

C503B-AAN-CA0C0252-015 是一款高性能射频功率晶体管，采用了碳化硅（SiC）材料，使得该器件具备优异的导热性能和高击穿电压能力。该晶体管的封装形式为气密封陶瓷封装，确保其在恶劣环境条件下的稳定性和长寿命。其最大漏极电流为15A，最大漏源电压高达250V，能够支持高功率输出，适用于连续波（CW）和脉冲操作模式。在射频应用中，该晶体管可在广泛的频率范围内提供高达125W的输出功率，通常用于50MHz至1GHz的频段，具有20dB的典型增益，确保信号放大效果优异。此外，该器件的宽工作温度范围（-65°C至+200°C）使其适用于各种极端环境，如工业加热、等离子体发生器、高频感应加热设备和广播发射机等。由于SiC材料的特性，该晶体管还具有较低的热阻和出色的热稳定性，能够在高功率密度条件下保持较低的工作温度，从而提高系统可靠性和效率。
　　该晶体管的设计也考虑到了高可靠性和长寿命，适合用于高要求的工业和通信系统中。其良好的热管理能力减少了对复杂散热系统的需求，有助于降低整体系统成本并提高设计灵活性。

C503B-AAN-CA0C0252-015 主要应用于射频功率放大器系统，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子体发生、高频感应加热设备和医疗射频治疗设备。此外，该晶体管也广泛用于广播发射机、通信基站、测试测量设备以及军事和航空电子系统中的射频放大电路。其高功率处理能力和优异的热稳定性，使其成为需要高可靠性和高性能的射频功率放大器设计的理想选择。在实际应用中，该器件常用于设计高效能、高稳定性的射频功率放大器模块，以满足工业自动化、无线通信、雷达系统和射频能量应用等领域的需求。

C503B-AAN-CA0C0252-010, C503B-AAN-CA0C0500-015