FV21X331K102ECG 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
该型号中的部分参数可以根据具体应用场景进行优化调整,因此在不同系列中可能会有细微差异。其封装形式和引脚布局设计使其易于集成到各种电路板中,同时提供良好的散热性能。
类型:MOSFET
材料:硅(Si)
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ
Id(持续漏极电流):80A
Qg(栅极电荷):37nC
EAS(雪崩能量):2.2mJ
封装:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
FV21X331K102ECG 具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体系统效率。
2. 快速开关性能,适用于高频开关应用场合。
3. 高电流承载能力,支持大功率设备运行。
4. 良好的热稳定性,在极端温度条件下仍能保持稳定工作。
5. 内置保护功能(如过温保护和短路保护),提高了器件的可靠性与安全性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS),包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动,特别是用于高功率电机控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 电动车和混合动力汽车的动力系统。
6. 各种需要高效能源管理的消费类电子产品。
FV21X331K101ECG, FV21X332K102ECG