RF5500SR 时间：2025/8/15 15:20:46 阅读：16

RF5500SR 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的射频（RF）功率晶体管，属于其广泛使用的功率MOSFET产品线。该器件采用先进的硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si-MOSFET）技术，专为高频率、高功率应用设计。RF5500SR 特别适用于广播、通信和工业射频加热系统等需要高效率和高稳定性的场合。

参数

类型：射频功率MOSFET
　　最大漏极电流（ID(max)）：150A
　　漏源电压（VDS）：65V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　工作频率范围：1MHz - 500MHz
　　输出功率（Pout）：5000W（典型值，100MHz）
　　增益（Gps）：20dB（典型值）
　　效率（η）：70%（典型值）
　　封装形式：AB包封（Airflake Bipolar）

特性

RF5500SR 的核心优势在于其卓越的射频性能与高可靠性。首先，该器件支持高达500MHz的工作频率，使其适用于广泛的射频应用，包括HF（高频）、VHF（甚高频）和UHF（超高频）波段的设备。其次，RF5500SR 能够提供高达5000W的输出功率，特别适合需要高功率放大的系统。此外，其高效率特性（典型值70%）有助于减少系统功耗，提高能量利用率。
　　该MOSFET具有良好的热管理和耐用性，能够在高功率条件下稳定运行。其AB包封结构不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件在高功率环境下的机械稳定性。同时，RF5500SR 的栅极驱动要求较低，使其易于与常见的射频驱动电路集成。
　　另外，RF5500SR 具有出色的线性度和低失真特性，适用于需要高质量信号放大的应用，如调频广播发射机和专业通信设备。其宽频率响应范围和高增益（20dB典型值）也使得它在多频段或多模式系统中表现出色。

应用

RF5500SR 主要应用于广播、通信、工业和医疗设备中的射频功率放大器。例如，在调频广播发射机中，RF5500SR 可作为主功率放大器，提供高效率、高稳定性的信号放大。在通信系统中，该器件可用于基站、中继站和无线基础设施的射频前端模块。此外，RF5500SR 还广泛用于工业射频加热系统、等离子体发生器和医疗射频治疗设备等对功率和稳定性要求较高的领域。