类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：8.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：25mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：3.2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）
　　晶体管配置：单管

FSP2114C25AD具有多项优异的电气和热性能，适合高频开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具备高栅极电荷（Qg）控制能力，能够减少开关损耗并提高系统的响应速度。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和长期可靠性。
　　该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在突发性过载或故障条件下提供一定的保护能力。其封装设计优化了热管理性能，使得热量能够更有效地散发到PCB上，从而延长器件的使用寿命。FSP2114C25AD还具有良好的抗静电（ESD）保护特性，防止在装配和使用过程中因静电放电而损坏器件。
　　此外，FSP2114C25AD的栅极驱动电压范围较宽，兼容多种常见的驱动电路，包括常见的3.3V和5V逻辑电平。这使得它在各种应用中能够灵活地与微控制器、PWM控制器或其他驱动IC配合使用。

FSP2114C25AD适用于多种高效率电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件在笔记本电脑、服务器电源、通信设备和工业控制系统中得到了广泛应用。
　　在DC-DC转换器中，FSP2114C25AD常用于同步整流电路，以提高转换效率并减少发热。在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现电机的双向控制。此外，该器件也可用于电池保护电路，作为主开关元件控制电池的充放电过程。
　　在消费类电子产品中，如智能家电、LED照明驱动器和移动电源中，FSP2114C25AD也常用于高频率开关电源和负载控制电路中，以提升整体系统的能效。

FDS6680, IRF7413, Si4410BDY, AO4406