类型：双通道MOSFET/IGBT驱动器
　　输出通道数：2
　　高侧驱动电压范围：-10V 至 +20V
　　低侧驱动电压范围：0V 至 20V
　　电源电压范围（VDD/VSS）：10V 至 20V
　　峰值输出电流（源/汲）：±2.5A
　　输入逻辑电平兼容性：TTL/CMOS
　　传播延迟时间：典型值35ns
　　上升时间（10%至90%）：典型值15ns（1000pF负载）
　　下降时间（90%至10%）：典型值12ns（1000pF负载）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥100kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：8-PDIP, 8-SOIC
　　隔离电压（典型）：1200Vrms（通过封装爬电距离保障）
　　栅极驱动电压范围：10V 至 20V推荐使用

IRS4426PBF的核心特性之一是其高压集成电平移位技术，使得高边通道能够在浮动电源条件下正常工作，无需外部光耦或变压器即可实现高侧N沟道MOSFET的有效驱动。这种技术不仅简化了电路设计，还提高了系统的可靠性与响应速度。该芯片采用独立的高低边输入控制逻辑，允许用户分别对每个通道进行精确的PWM信号控制，非常适合用于需要复杂开关时序的应用场景，如电机驱动、DC-AC逆变器等。其高达±2.5A的峰值输出电流能力，使其能够快速驱动大栅极电荷的功率器件，显著减少开关过渡时间，从而降低导通与关断过程中的能量损耗，提高整体能效。
　　另一个关键特性是优异的噪声抑制能力。IRS4426PBF具备非常高的共模瞬态抗扰度（CMTI ≥ 100kV/μs），这意味着即使在剧烈的电压跳变环境下（例如桥臂中点电压快速变化），驱动器也能准确传递控制信号而不发生误触发或逻辑翻转。这对于防止上下桥臂直通短路至关重要，有助于提升系统的安全性和稳定性。此外，输入端支持TTL/CMOS电平兼容，可以直接连接到各种数字控制器而无需额外的电平转换电路，进一步降低了系统复杂度和成本。
　　该器件还具备宽泛的工作电压范围（10V–20V），适应不同功率等级的设计需求。它支持负向输入电压容忍能力（最高达-10V），增强了在恶劣电磁环境下的鲁棒性，避免因负向电压尖峰导致器件损坏或误动作。同时，IRS4426PBF内置的输出级采用图腾柱结构，提供快速且稳定的栅极充放电路径，确保开关波形清晰、无振荡。其较短的传播延迟（典型35ns）以及低延迟匹配特性，有利于实现精确的死区时间控制，防止桥式电路中上下管同时导通造成短路事故。

IRS4426PBF广泛应用于各类需要高效、可靠驱动功率开关器件的电力电子系统中。典型应用场景包括但不限于：直流无刷电机（BLDC）驱动器、永磁同步电机（PMSM）控制系统、家用及工业变频器、开关模式电源（SMPS）、DC-DC变换器、DC-AC逆变器（如太阳能逆变器、UPS不间断电源）、感应加热设备以及电动工具驱动模块等。在这些系统中，通常采用半桥或全桥拓扑结构来实现能量的高效转换与调节，而IRS4426PBF凭借其高驱动电流能力和高压电平移位功能，成为驱动高边与低边N沟道MOSFET或IGBT的理想选择。
　　在电机驱动领域，IRS4426PBF可用于三相逆变桥的每一相上下管驱动，配合微控制器输出的PWM信号实现精准的速度与转矩控制。由于其具备良好的抗噪声性能和快速响应能力，特别适合在高动态响应要求的伺服系统或电动汽车辅助系统中使用。在开关电源设计中，该芯片可用于有源钳位、LLC谐振变换器或硬开关全桥拓扑中的主开关驱动，帮助提升电源效率并减小散热需求。对于太阳能微型逆变器或储能系统中的高频逆变环节，IRS4426PBF的小尺寸封装和高集成度也有助于缩小PCB面积，提升功率密度。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备中的固态继电器（SSR）驱动、电磁阀控制以及高频斩波电源等场合。由于其支持工业级温度范围（-40°C至+125°C）并具备良好的长期可靠性，IRS4426PBF可在严苛环境下持续稳定运行，满足工业与能源领域对耐用性和安全性的严格要求。

IR2110S, IRS21844, UCC27531, FAN73896, MIC4427A