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MMBF4393LT3G 发布时间 时间:2025/4/28 18:35:45 查看 阅读:2

MMBF4393LT3G是一种NPN型小信号晶体管,广泛用于高频放大、开关电路以及其他通用电子电路中。该晶体管采用了先进的制造工艺,具备低噪声、高增益和良好的频率响应特性,非常适合在通信设备、消费类电子产品和工业控制等领域使用。
  MMBF4393LT3G的封装形式为SOT-23,这种小型表面贴装封装使得它在设计紧凑型电路时非常实用,同时也支持自动化装配工艺。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极电流(IC):200mA
  功率耗散(Ptot):350mW
  直流电流增益(hFE):100至600
  过渡频率(ft):800MHz
  结温范围(Tj):-55℃至150℃

特性

MMBF4393LT3G的主要特性包括:
  1. 高频性能优越,适用于射频和高速开关应用。
  2. 直流电流增益范围较宽,能够满足多种工作条件的需求。
  3. 小尺寸SOT-23封装,适合现代电子设备的小型化趋势。
  4. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。
  5. 低饱和电压,有助于提高效率并降低功耗。
  6. 高可靠性,适合长时间连续运行的应用场景。

应用

该晶体管常用于以下应用领域:
  1. 射频放大器和混频器中的信号放大。
  2. 开关电源和其他功率转换电路中的开关元件。
  3. 音频设备中的前置放大器。
  4. 工业控制系统的信号调节和处理。
  5. 消费类电子产品中的逻辑电平转换和驱动电路。
  6. 无线通信模块中的高频信号处理。

替代型号

MMBT4393LT3G, BC847B, 2SC2836

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MMBF4393LT3G参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id500mV @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(开)100 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大225mW