时间：2025/4/30 14:26:14
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IRFH5250TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沀道 场效应晶体管（NMOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用以及功率转换电路。
这款 MOSFET 主要用于消费电子、工业设备以及通信领域中的高效能功率管理场景。
型号：IRFH5250TRPBF
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-263 (D2PAK)
Vds（漏源极电压）：40V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：7mΩ
Id（连续漏极电流）：68A
Qg（总栅极电荷）：41nC
EAS（雪崩能量）：1.5J
f（工作频率）：高达MHz级
Pd（最大功耗）：215W
IRFH5250TRPBF 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，仅为 7mΩ（典型值），这使其非常适合高电流应用，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
此外，该器件具备较高的电流承载能力（68A），同时保持了良好的热性能和电气稳定性。其 TO-263 封装形式也方便进行散热设计。
它还具有较低的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss，从而支持快速开关操作，并减少了驱动损耗。
在可靠性方面，IRFH5250TRPBF 能够承受一定程度的雪崩能量（1.5J），提高了其在异常情况下的鲁棒性。
IRFH5250TRPBF 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 工业逆变器
- 电池管理系统（BMS）
- 通信电源
- 计算机及外设电源
由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件特别适合于要求高效率和高可靠性的功率管理解决方案。
IRL520N, IRF540N
