IRFH5250TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沀道 场效应晶体管(NMOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高频开关应用以及功率转换电路。
这款 MOSFET 主要用于消费电子、工业设备以及通信领域中的高效能功率管理场景。
型号:IRFH5250TRPBF
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-263 (D2PAK)
Vds(漏源极电压):40V
Rds(on)(导通电阻,典型值):7mΩ
Id(连续漏极电流):68A
Qg(总栅极电荷):41nC
EAS(雪崩能量):1.5J
f(工作频率):高达MHz级
Pd(最大功耗):215W
IRFH5250TRPBF 具有非常低的导通电阻 Rds(on),仅为 7mΩ(典型值),这使其非常适合高电流应用,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
此外,该器件具备较高的电流承载能力(68A),同时保持了良好的热性能和电气稳定性。其 TO-263 封装形式也方便进行散热设计。
它还具有较低的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss,从而支持快速开关操作,并减少了驱动损耗。
在可靠性方面,IRFH5250TRPBF 能够承受一定程度的雪崩能量(1.5J),提高了其在异常情况下的鲁棒性。
IRFH5250TRPBF 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景,包括但不限于以下领域:
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 工业逆变器
- 电池管理系统(BMS)
- 通信电源
- 计算机及外设电源
由于其低导通电阻和高电流处理能力,该器件特别适合于要求高效率和高可靠性的功率管理解决方案。
IRL520N, IRF540N