您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFH5250TRPBF

IRFH5250TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 14:26:14 查看 阅读:5

IRFH5250TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沀道 场效应晶体管(NMOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高频开关应用以及功率转换电路。
  这款 MOSFET 主要用于消费电子、工业设备以及通信领域中的高效能功率管理场景。

参数

型号:IRFH5250TRPBF
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装形式:TO-263 (D2PAK)
  Vds(漏源极电压):40V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):7mΩ
  Id(连续漏极电流):68A
  Qg(总栅极电荷):41nC
  EAS(雪崩能量):1.5J
  f(工作频率):高达MHz级
  Pd(最大功耗):215W

特性

IRFH5250TRPBF 具有非常低的导通电阻 Rds(on),仅为 7mΩ(典型值),这使其非常适合高电流应用,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
  此外,该器件具备较高的电流承载能力(68A),同时保持了良好的热性能和电气稳定性。其 TO-263 封装形式也方便进行散热设计。
  它还具有较低的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss,从而支持快速开关操作,并减少了驱动损耗。
  在可靠性方面,IRFH5250TRPBF 能够承受一定程度的雪崩能量(1.5J),提高了其在异常情况下的鲁棒性。

应用

IRFH5250TRPBF 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景,包括但不限于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动
  - 工业逆变器
  - 电池管理系统(BMS)
  - 通信电源
  - 计算机及外设电源
  由于其低导通电阻和高电流处理能力,该器件特别适合于要求高效率和高可靠性的功率管理解决方案。

替代型号

IRL520N, IRF540N

IRFH5250TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFH5250TRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRFH5250TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C45A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.15 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7174pF @ 13V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VQFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)单芯片焊盘
  • 包装带卷 (TR)