DMC4040SSDQ-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率电源管理和功率开关应用,具备低导通电阻(Rds(on))和高功率密度的特点,适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电源管理系统等场合。该 MOSFET 采用 DFN3x3 封装,具有良好的热性能和空间利用率,适用于便携式设备和高密度 PCB 设计。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(Id):15A
最大漏源电压(Vds):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻 Rds(on):24mΩ(@ Vgs = 10V)
栅极电荷 Qg:26nC
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:DFN3x3
DMC4040SSDQ-13 的主要特性包括其低导通电阻,这使得在导通状态下功率损耗极低,从而提高了整体系统效率。该器件在 Vgs=10V 时的典型 Rds(on) 为 24mΩ,能够在高电流负载下保持稳定的性能。此外,其 DFN3x3 封装提供了良好的散热性能,有助于在高功率应用中维持较低的结温。该 MOSFET 还具备高雪崩能量耐受能力,增强了在瞬态过压情况下的可靠性。
DMC4040SSDQ-13 具有快速开关特性,栅极电荷 Qg 为 26nC,使其适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC 转换器和马达控制电路。其工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C,适应工业级和汽车电子应用的严苛环境要求。此外,该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平,可与多种控制器和驱动器直接连接,简化电路设计。
DMC4040SSDQ-13 主要应用于电源管理系统、负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、马达控制电路以及便携式电子产品中的功率开关。其高效率和小尺寸封装使其成为笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中的理想选择。此外,该 MOSFET 在汽车电子系统中也有广泛应用,如车载充电器、LED 照明驱动和车身控制模块等。由于其高可靠性和良好的热性能,该器件也适用于工业自动化设备、电源适配器和不间断电源(UPS)系统。
SiSS24DN, DMP2004SSDQ, FDMC4040, NVTFS5C401NL, IPD90P03P4-03