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IRLR110TRPBF 发布时间 时间:2025/7/3 17:19:23 查看 阅读:8

IRLR110TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的逻辑电平 N 沣道沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-263-3 (DPAK) 封装,适用于多种开关和功率转换应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效电源设计的理想选择。
  该 MOSFET 的最大工作电压为 30V,具有较低的栅极电荷和输出电容,能够实现高效率和高频率操作。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻(典型值,在 Vgs=10V 时):1.8mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:520pF
  功耗:36W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRLR110TRPBF 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关速度,降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩能力,增强器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 符合 RoHS 标准,确保环保合规性。
  5. 热增强型 DPAK 封装,改善散热性能。
  6. 支持逻辑电平驱动,简化电路设计,无需额外的驱动电路。
  这些特性使 IRLR110TRPBF 成为各种功率管理应用中的高性能解决方案。

应用

IRLR110TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 负载开关
  4. 电机控制与驱动
  5. 电池保护和管理系统
  6. 工业自动化设备
  7. 通信电源系统
  该器件因其卓越的性能和可靠性,非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDP17N10

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IRLR110TRPBF参数

  • 数据列表IRLR110PBF, IRLU110PBF
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 2.6A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR110PBFTRIRLR110PBFTR-NDIRLR110TRPBFTR